सोलर इन्वर्टर 1Kw

गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) किसी भी फोटोवोल्टिक सामग्री के उच्चतम प्रदर्शन का दावा करता है, जो 28.8 प्रतिशत तक पहुंच जाता है। ऐसा इसलिए है क्योंकि GaAs में 1.43 eV का सीधा और अधिक अनुकूल बैंड गैप है - जिसके परिणामस्वरूप पतली परतों के साथ बेहतर अवशोषण और कम ऊर्जा हानि होती है। इसके अतिरिक्त, GaAs में सिलिकॉन से बेहतर इलेक्ट्रॉन-परिवहन गुण हैं। हालांकि, इसका उत्पादन करना बहुत महंगा है क्योंकि इसके लिए उच्च सामग्री शुद्धता की आवश्यकता होती है, जो आम तौर पर इसे अंतरिक्ष-आधारित अनुप्रयोगों (जैसे उपग्रह और रोवर्स) तक सीमित कर देती है।

कैडमियम टेलुराइड

कैडमियम टेलुराइड (सीडीटीई) एक उच्च दक्षता वाली पतली-फिल्म फोटोवोल्टिक तकनीक है जिसने 22.1 प्रतिशत की दक्षता हासिल की है। सीडीटीई में 1.44 ईवी पर GaAs के समान बैंड गैप है, जो इसे GaAs के समान लाभ देता है - पतली फिल्मों में अच्छा अवशोषण और कम फोटॉन ऊर्जा हानि। यह सामग्री लचीली, बहुत कम लागत वाली होने की संभावना को भी समेटे हुए है, और इसने वाणिज्यिक सौर पैनलों का उत्पादन किया है जो बहुत कम ऊर्जा भुगतान समय (हालांकि कम दक्षता के साथ) के साथ सिलिकॉन से सस्ते हैं। इन लाभों के बावजूद, कुछ मुद्दे हैं - कैडमियम अत्यधिक विषैला होता है और टेल्यूरियम बहुत दुर्लभ होता है, जिससे इस तकनीक की दीर्घकालिक व्यवहार्यता अभी अनिश्चित हो जाती है।

कॉपर ईण्डीयुम गैलियम सेलेनाइड

कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड (सीआईजीएस) ने सीडीटीई उपकरणों के समान प्रदर्शन हासिल किया है, जिसमें 22.6 प्रतिशत की चोटी है। यौगिक का रासायनिक सूत्र CuInxGa(1-x)Se2 है जहां x 0 और 1 के बीच एक मान ले सकता है। रासायनिक संरचना की यह अनुकूलता सामग्री के बैंड गैप को 1 के बीच भिन्न करने में सक्षम बनाती है। 0 eV (x=1, शुद्ध कॉपर इंडियम सेलेनाइड) और 1.7 eV (x=0, शुद्ध कॉपर गैलियम सेलेनाइड)। हालांकि, GaAs सेल की तरह, CIGS को बनाना महंगा है और इसके परिणामस्वरूप सौर पैनल होते हैं जो वर्तमान वाणिज्यिक प्रौद्योगिकियों के साथ प्रतिस्पर्धा नहीं कर सकते हैं। इसके अलावा, टेल्यूरियम की तरह, इंडियम बहुत दुर्लभ है, इस तकनीक की दीर्घकालिक क्षमता को सीमित करता है।

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