24v 8kw सोलर इन्वर्टर

चर्चा के लायक एक अन्य विकल्प FGH30N60LSD उपकरणों का उपयोग करना है। यह केवल 1.1V के संतृप्ति वोल्टेज VCE(SAT) के साथ 30A/600V IGBT है। इसका टर्न-ऑफ लॉस EOFF बहुत अधिक है, जो 10mJ तक पहुंचता है, इसलिए यह केवल कम आवृत्ति रूपांतरण के लिए उपयुक्त है। ऑपरेटिंग तापमान पर 50 मिलीओम MOSFET का ऑन-प्रतिरोध RDS(ON) 100 मिलीओम है। इसलिए, 11ए पर, इसका वीडीएस आईजीबीटी के वीसीई (एसएटी) के समान है। चूँकि यह IGBT एक पुरानी ब्रेकडाउन तकनीक पर आधारित है, VCE(SAT) तापमान के साथ ज्यादा नहीं बदलता है। इसलिए, यह आईजीबीटी आउटपुट ब्रिज में समग्र नुकसान को कम कर सकता है, जिससे इन्वर्टर की समग्र दक्षता बढ़ सकती है। FGH30N60LSD IGBT हर आधे चक्र में एक बिजली रूपांतरण तकनीक से दूसरे समर्पित टोपोलॉजी पर स्विच करना भी बहुत उपयोगी है। आईजीबीटी का उपयोग यहां टोपोलॉजिकल स्विच के रूप में किया जाता है। तेज़ रूपांतरण में पारंपरिक और तेज़ पुनर्प्राप्ति सुपर जंक्शन उपकरणों का उपयोग किया जाता है। 1200V समर्पित टोपोलॉजी और पूर्ण ब्रिज संरचना के लिए, उपरोक्त FGL40N120AND नए उच्च-आवृत्ति सौर इन्वर्टर के स्विच के लिए बहुत उपयुक्त है। जब विशेष तकनीक के लिए डायोड की आवश्यकता होती है, तो स्टील्थ II, हाइपरफास्ट™ II डायोड और कार्बन सिलिकॉन डायोड अच्छे समाधान होते हैं।

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