600w 1200w शुद्ध साइन वेव हाइब्रिड इन्वर्टर

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फोटोकल्स कैसे काम करते हैं

एन-आकार के सिलिकॉन वेफर की सतह पर, कुछ पी-प्रकार की अशुद्धियों को पीएन जंक्शन बनाने के लिए विसरण द्वारा डोप किया जाता है, जो एक सिलिकॉन फोटोवोल्टिक सेल है। जब पीएन पर किरणित किया जाता है, उदाहरण के लिए, जब फोटॉन ऊर्जा एचवी सिलिकॉन की वर्जित बैंड चौड़ाई ई से अधिक होती है, तो वैलेंस बैंड में इलेक्ट्रॉन चालन बैंड में संक्रमण करते हैं, इलेक्ट्रॉन-छेद जोड़े उत्पन्न करते हैं। चूंकि पीएन जंक्शन बाधा परत की विद्युत क्षेत्र दिशा पी क्षेत्र को इंगित करती है, किसी भी बाधा परत के विद्युत क्षेत्र की क्रिया के तहत, फोटो-उत्तेजित इलेक्ट्रॉन एन क्षेत्र के बाहर चले जाते हैं, और फोटो-उत्तेजित छेद चलते हैं पी क्षेत्र के बाहर। पीएन जंक्शन की दो सतहें एक संभावित अंतर बनाने के समानांतर हैं, पी क्षेत्र सकारात्मक रूप से चार्ज होता है, जो फोटोवोल्टिक सेल का सकारात्मक इलेक्ट्रोड है, और एन क्षेत्र नकारात्मक रूप से चार्ज होता है, जो फोटोवोल्टिक सेल का नकारात्मक इलेक्ट्रोड है। जैसे-जैसे पीएन जंक्शन पर प्रकाश की तीव्रता बढ़ती है, पी क्षेत्र में अधिक छिद्र प्रवाहित होते हैं और एन क्षेत्र में अधिक इलेक्ट्रॉन प्रवाहित होते हैं, जिससे सिलिकॉन फोटोवोल्टिक सेल के दोनों पक्षों के बीच संभावित अंतर बढ़ता है। जैसा कि ऊपर उल्लेख किया गया है, प्रकाश की क्रिया के तहत, एक निश्चित दिशा और एक निश्चित परिमाण के इलेक्ट्रोमोटिव बल उत्पन्न करने की घटना को फोटोवोल्टिक प्रभाव कहा जाता है।

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